??半導(dǎo)體曝光設(shè)備是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于在硅片上繪制電路圖案的設(shè)備。強(qiáng)大的紫外光透過(guò)光掩模，作為電路圖案的原型，電路圖案被轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅片上。近年來(lái)，一些設(shè)備使用波長(zhǎng)為 13 nm 的激光（稱(chēng)為 EUV）來(lái)微型化精細(xì)電路圖案。由于定位等要求極高的精度，因此設(shè)備價(jià)格昂貴。

半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用

半導(dǎo)體曝光裝置用于包含MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）、FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等半導(dǎo)體元件的IC（集成電路）的制造工序中的曝光工序。

在IC制造過(guò)程中，在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán)，并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過(guò)程中，半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此，它已經(jīng) .例如，在n型MOS(NMOS)的情況下，在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬，并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型（n+型）MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。

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其中，曝光工序(S3)使用半導(dǎo)體曝光裝置來(lái)進(jìn)行。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導(dǎo)體元件的精度，使用不同的曝光設(shè)備波長(zhǎng)。

半導(dǎo)體曝光設(shè)備原理

半導(dǎo)體曝光設(shè)備由光源、聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和載物臺(tái)組成。從光源發(fā)出的紫外光通過(guò)聚光透鏡調(diào)整，使其指向同一方向。之后，紫外光穿過(guò)作為構(gòu)成電路圖案的一層的原型的光掩模，并通過(guò)投影透鏡減少光線(xiàn)，將半導(dǎo)體元件的電路圖案（的一層）轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體元件上。馬蘇。在諸如步進(jìn)機(jī)之類(lèi)的曝光設(shè)備中，在完成一次轉(zhuǎn)移之后，通過(guò)平臺(tái)移動(dòng)硅晶片，并將相同的電路圖案轉(zhuǎn)移到硅晶片上的另一位置。通過(guò)更換光掩模，可以轉(zhuǎn)印半導(dǎo)體器件的另一層電路圖案。

所使用的光源包括波長(zhǎng)為248 nm的KrF準(zhǔn)分子激光器、波長(zhǎng)為193 nm的ArF準(zhǔn)分子激光器以及波長(zhǎng)為13 nm的EUV光源。

最新的半導(dǎo)體制造工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則（最小加工尺寸）變得更加精細(xì)，達(dá)到3至5納米左右，因此聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和平臺(tái)都需要納米級(jí)的高精度。此外，隨著層壓的進(jìn)行，進(jìn)行多次曝光以改變電路圖案并形成單個(gè)半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體光刻設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及份額

全球電子設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大，支撐其的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變得越來(lái)越重要。盡管2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)歷了負(fù)增長(zhǎng)，但盡管過(guò)去經(jīng)歷過(guò)雷曼沖擊，但仍持續(xù)擴(kuò)張。近年來(lái)，存儲(chǔ)器的技術(shù)發(fā)展從小型化轉(zhuǎn)向3D技術(shù)，蝕刻技術(shù)的重要性日益增加。

截至2018年，半導(dǎo)體光刻設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模為10852億日元。
按消費(fèi)地區(qū)來(lái)看，韓國(guó)以36%排名第一，臺(tái)灣以19%位居第三，中國(guó)大陸以18%排名第三，美國(guó)以14%排名第四，日本以7%排名第五。半導(dǎo)體光刻設(shè)備廠(chǎng)商按國(guó)籍劃分的市場(chǎng)份額（2018年）為歐洲（84%）、日本（14%）和美國(guó)（2%），其中歐洲和日本幾乎形成寡頭壟斷。

關(guān)于EUV曝光設(shè)備

EUV（Extreme Ultraviolet的縮寫(xiě)）曝光設(shè)備是一種使用被稱(chēng)為極紫外光的極短波長(zhǎng)光的半導(dǎo)體曝光設(shè)備?？梢约庸な褂肁rF準(zhǔn)分子激光的傳統(tǒng)曝光設(shè)備難以加工的更精細(xì)尺寸。

半導(dǎo)體小型化正在按照摩爾定律進(jìn)展（半導(dǎo)體集成電路的集成度和功能將在三年內(nèi)提高四倍）。到目前為止，通過(guò)稱(chēng)為步進(jìn)器的縮小投影曝光技術(shù)、更短的曝光波長(zhǎng)和浸沒(méi)式曝光技術(shù)的開(kāi)發(fā)，分辨率已得到顯著提高。

小型化是指晶圓上可印刷的最小加工尺寸變得更小，最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。
R=k·λ/NA *k為比例常數(shù)，λ為曝光波長(zhǎng)，NA為曝光光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑

通過(guò)各種技術(shù)的發(fā)展，通過(guò)減小k、減小λ和增大NA來(lái)實(shí)現(xiàn)小型化。
EUV曝光設(shè)備被認(rèn)為是一種可以通過(guò)縮短曝光波長(zhǎng)來(lái)克服以往限制的技術(shù)，近年來(lái)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

關(guān)于半導(dǎo)體曝光設(shè)備的價(jià)格

半導(dǎo)體光刻設(shè)備目前對(duì)于半導(dǎo)體的高效量產(chǎn)來(lái)說(shuō)是不可或缺的，但據(jù)稱(chēng)它是史上最精密的機(jī)器，而且價(jià)格昂貴。

半導(dǎo)體曝光設(shè)備中使用的光源的波長(zhǎng)越短，可以形成的圖案越精細(xì)，并且曝光設(shè)備變得越昂貴。據(jù)稱(chēng)每個(gè)波長(zhǎng)的成本為i-line約4億日元、KrF約13億日元、ArF干式約20億日元、ArF浸沒(méi)式約60億日元、EUV約200億日元。

電路越小，可以實(shí)現(xiàn)越快的信號(hào)傳輸和節(jié)能，但近年來(lái)，由于小型化，無(wú)法忽視工藝成本的增加，包括半導(dǎo)體曝光設(shè)備的價(jià)格。

就半導(dǎo)體光刻設(shè)備所需的性能而言，從半導(dǎo)體制造的成本角度來(lái)看，半導(dǎo)體光刻設(shè)備的吞吐量也是一個(gè)重要指標(biāo)。吞吐量是表示電路圖案曝光速度的性能，隨著吞吐量的增加，每個(gè)硅芯片的制造成本（運(yùn)行成本）會(huì)降低。這在半導(dǎo)體芯片的大規(guī)模生產(chǎn)過(guò)程中非常重要。