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什么是半導(dǎo)體曝光設(shè)備？

半導(dǎo)體曝光設(shè)備是半導(dǎo)體制造過(guò)程中在硅片上繪制電路圖案的設(shè)備。強(qiáng)紫外光透過(guò)光掩模，該光掩模是電路圖案的原型，電路圖案被轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅片上。近年來(lái)，還有一種使用稱為EUV的波長(zhǎng)為13納米的激光來(lái)使精細(xì)電路圖案微型化的裝置。由于定位精度要求非常高，設(shè)備價(jià)格昂貴。

半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用

半導(dǎo)體光刻設(shè)備用于包括MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）和FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等半導(dǎo)體元件的IC（集成電路）制造過(guò)程中的曝光工序。

在IC制造過(guò)程中，在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻的循環(huán)，并在以預(yù)定圖案堆疊和加工氧化硅、金屬等層的過(guò)程中，獲得半導(dǎo)體元件所需的特性. 將被處理為?作為示例，在n型MOS(NMOS)的情況下，在p型硅襯底上的柵極區(qū)域中形成氧化硅膜，并在其上形成柵極金屬，并向其中注入高濃度雜質(zhì)離子。漏極區(qū)和源極區(qū)，形成n型(n+型)MOS。這一系列工序中的光刻和蝕刻的各工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。

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其中，曝光工序(S3)是使用半導(dǎo)體曝光裝置進(jìn)行的工序。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導(dǎo)體元件的精度，曝光設(shè)備使用不同的波長(zhǎng)。